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    时间:2023.06.19
    上传者:V13632814412
    品牌:永嘉微电/VINKA封装:LQFP52年服务,技术支持VK0256C是一個32x8的LCD駆動器.可軟體程式控制使其適用於多樣化的LCD應用線路.僅用到3至4條訊號線便可控制LCD駆動器,除此之
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    时间:2024.06.17
    上传者:东芝铠侠代理
    TB5128FTG拥有众多确保高性能、可靠性和灵活性的特性:BiCD工艺集成:在单片IC中结合了双极、CMOS和DMOS工艺,提升性能。多功能电机控制:能够通过PWM控制恒流驱动控制一个双极步进电机。
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    时间:2019.06.13
    上传者:东亚安防
    光纤熔接过程1、光纤熔接需用到的工具2.先将光纤穿过光纤收容箱3、光纤熔接的准备工作 步骤一:剥光纤加固钢丝 (约剥1米长)
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    时间:2023.06.19
    上传者:V13632814412
    品牌:永嘉微电/VINKA封装:QFP64年服务,技术支持8種WDT的基頻選擇可外接32.768KHz石英震盪器內建timebasegenerator以及WDTTimebaseorWDT溢位輸出8種的
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    时间:2023.11.28
    上传者:瑞福科技
    TFT-LCD液晶显示控制芯片RA8889ML3N的优势:低功耗及功能强大:这款芯片最大支持分辨率为1366x2048,内置128MbSDRAM,可为内容显示进行快速刷新,同时内置视频解码单元,支持J
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    时间:2024.07.29
    上传者:东芝铠侠代理
    TB67S581FNG是一款采用PWM斩波模式的恒流两相步进电机驱动IC,采用东芝的BiCD(双极-CMOS-DMOS)工艺制造。该集成电路旨在提供高效率和高可靠性。以下是它的一些突出特点:高电压和电
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    时间:2019.06.18
    上传者:东亚安防
    此次工程项目是承担贵单位的多功能会议室、豪华会议室及培训室的设计、施工。设计原则:多功能会议室以能举办各种类型的会议和小型演出为目标,多功能会议室所需演示的视频信号、计算机信号,大屏幕投影则为实时处理
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    时间:2024.10.09
    上传者:东芝铠侠代理
    TB67H400AFNG是一款采用BiCD工艺的高效有刷直流马达驱动器,具有以下显著特点:高电压与大电流承载能力:支持高达50V的工作电压以及在单通道模式下8A的峰值电流(双通道模式下为4A),能够轻
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    时间:2021.03.26
    上传者:Argent
    全志方案在消费类电子占有很大的市场,随着产品的不断升级优化,全志方案不仅仅在安卓平板,视频监控、广告应用等领域崭露头角,本人收集些有关全志方案的开发资料,希望对正在使用全志方案的网友有所帮助。
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    时间:2024.06.17
    上传者:东芝铠侠代理
    TB6560AHQ采用先进的驱动电路设计,能够提供高达3.5A的大电流输出,可轻松驱动功率较大的步进电机。同时,它内置了32/16/8/4微步控制功能,在提高电机运行平稳性的同时,还能够实现更高的定位
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    时间:2024.09.19
    上传者:东芝铠侠代理
    单芯片驱动两相双极步进电机TB62269FTG可通过单芯片实现对两相双极步进电机的驱动,极大简化了电机驱动电路的设计,同时节省了电路板空间。PWM控制的恒流驱动该芯片采用PWM恒流控制方式,能够精确控
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    时间:2022.01.27
    上传者:Eways-SIC
    碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiCMOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。
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    时间:2022.01.27
    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于SiC功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆变器、储能系统(ESS)、
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    时间:2022.01.21
    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2022.01.27
    上传者:Eways-SIC
    SiC功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
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    时间:2020.04.24
    上传者:帘卷笙声寂
    基于蓝牙4.2/5.0版本研发,集成蓝牙4.2/5.0、WiFi、4G(LTE-TDD/LTE-FDD)三种无线通讯协议,支持4G网络、WiFi无线网络和RJ45有线网络3种联网方式上报数据。VDB2
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    时间:2022.01.21
    上传者:Eways-SIC
    SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、
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